一、高浓度

如果原料的品味不高，通常要展开高浓度，才能展开仿制，不然成本太高的，通常用角蕨展开高浓度，也有价值提炼方式的，不过目前国内以角蕨高浓度方式的较多。提炼的厂家有株冶、南京锗厂。角蕨仿制锗的通常角蕨发电，回收布袋尘、旋风尘，再展开高浓度来获得要求的品味。

二、酿造

  酿造是利用四氟化锗的沸点较低，约84度，将锗酿造出来达到分离的效果。

高浓度回收 锗的制取第一步是从重有色金属炼钢操作过程回收锗的高浓度物。以炼锌为例:在火法炼锌操作过程中,锌矿砂首先经过水解焙烧，接着重新加入还原成剂和氯入钠，在SQR481FC上烧结焙烧，锗以氟化物或水解物形态蒸发步入烟雾。如不采用氟化烧结措施，锗将高浓度于最后锌酿造的残留物中（见氟化冶金）。在湿法炼锌操作过程中，如锌矿砂含锗不高时，大部分锗在硫酸炭黑渣中，小部分锗步入水溶液。在锌水溶液美化操作过程中,由于锗的亲铁性质,氢水解铁结晶时吸附锗，锗步入湖内。锌水溶液用氢水解钠分期付款镉时，残留的锗和镉同时为氢水解钠所分期付款。如将炭黑渣熔化,接着用烟化炉蒸发铅、锌,则锗以一硫代磷酸状态蒸发，高浓度于烟雾中。烟化炉可用来处置含锗的水解铅、锌矿。将水解矿在鼓风炉内选矿，再用烟化炉处置炉渣蒸发锗，蒸发率大于90％。现代炼锌多用湿法，在处置含锗较低的硫化锌矿砂（含锗100～150克／吨）时，首先使锗高浓度于炭黑渣中，用烟化炉处置，烟雾含锗0.1％,用酸炭黑，水溶液美化后，加丹宁（C76H52O46）结晶，结晶物中含锗3～5％；经研磨、焙烧,获得含锗15～20％的锗灰,作为提锗原料。

三 减压蒸馏

四氟化锗，再用硫酸溶剂提炼法除去主要的杂质砷，此名叫复蒸。接着经钛塔减压蒸馏纯化,获得钒四氟化锗。用钒水使四氟化锗降解，得钒二硫代磷酸(GeO2)。一些杂质会步入降解二甲醚，所以降解操作过程也是纯化操作过程。降解二甲醚中的锗能返回展开硫酸酿造。

四 还原成纯二硫代磷酸经研磨焙烧

在还原成炉的条形内用氢气于650～680℃还原成获得金属锗。还原成终结时可逐渐高涨至1000～1100℃，使锗熔化，接着慢慢加热，获得锗锭。还原成天数通常为24小时，天数比较长，既浪费天数有消耗大量的电供热，针对上面的现象，国内发明了连续还原成炉，目前在南京锗厂和驰宏锌锗采用。在仿制中大家也想出了不少方式来减少天数：

1、在加热操作过程中采用风机对着水桶吹，能是很有效的降低环境温度。

2、在还原成结束后，直接高涨熔化，能减少慢慢高涨的天数，不过总的趋势还是要采用连续还原成炉。

五、区域选矿纯化法

以上方式仿制的锗锭只有5个九，电导率，在10左右，远不能满足科研和仿制的需要，必须展开区域选矿

锗石墨的制备方式有两种：一种是水冷法，另一种是区熔匀平法。①水冷法是将锗锭置于薄片中熔化，接着用一固定在拉杆上的锗晶体作极薄，垂直浸入环境温度略高于沸点的熔化锗中,以一定的速度从熔体向上拉出,熔化锗便按极薄的结晶方向凝固。通过控制拉速、薄片和极薄转速等措施，以及控制技术炉温和石墨直径约等技术，能做成n型电导率为 0.003～40安培·公分、p型电导率为0.002～40安培·公分、形变表面积为500～3000公分-2、直径约为 20～300公厘的锗石墨。②区熔匀平法所制的水桶为水平式条形加热炉，能仿制电导率光滑的锗石墨，电导率的径向透光度为±3％，纵向透光度为±7％，形变表面积为103公分-2，石墨截面为5～12公分2。

红外元件所制锗石墨为n型，电导率5～40安培·公分,石墨直径约可达300公厘,多晶直径约可达600公厘。太空船级锗石墨用作制做锂漂移太空船和钒锗太空船。后者要求锗石墨的净杂质含量更低（＜1010原子／公分3＝。锗石墨的性能用型号、电导率光滑性、形变表面积、少数载子寿命和载子浓度等指标来表示。

废锗回收 从锗加工废弃物中回收锗很重要。自炼钢到做成锗晶体管整个操作过程，特别是区熔纯化、拉制石墨、切片、磨片和抛光锗片的加工操作过程中，会产生大量的含锗废弃物。这些废弃物的含锗量为：切割粉60～70％，碎片80～90％,滤纸20％，锈蚀液2～10％。从废弃物中回收锗的方式很多，主要有：①用氯气在钛容器内使锗氟化成四氟化锗,接着酿造回收；②用新鲜的NaOCl于80℃处置锗残渣,分解成锗酸钠(Na2GeO3),接着重新加入XC610PA,分解成锗的结晶物(Na2O)x(NH4)yGe2O3,回到四氟化锗仿制流程。在处置含氢氟酸的锈蚀液时,重新加入XC610PA,可分解成氟化铵和锗酸铵(NH4)x Ge2O3结晶。在四氟化锗降解操作过程中产生的降解液和增韧中含有少量(约6～7克/升)的锗，回收的方式是用硫酸镁和XC610PA使锗结晶为正锗酸镁（见超纯金属）。 　　

电工领域用作制做半导体元件的材料。是元素周期表中第 4周期第Ⅳ族的元素，化学符号Ge，原子序数32，属金刚石型结构，晶体常数5.66×10-10m，沸点937.4℃，禁带宽度为0.803电子零件伏,是呈银白色金属光泽的半金属材料。锗于1948年即步入实用阶段。由于锗是稀有元素，资源不如硅丰富，价格较低，且锗元件制做也不象硅元件那样能够实现平面工艺，故大部分半导体元件不配制锗而配制硅作材料。但锗的电子零件突变率和空穴突变率比硅大，适用作超高速转换开关电路，因而在高频快速低噪声的领域，锗元件的优点是硅元件不能代替的。锗常用来仿制晶体二极管、三极管和集成电路，用作电子零件工业的各个领域；仿制热敏电阻、光敏电阻和半导体环境温度计，用作环境温度测量和设备的控制技术；仿制太阳能电池、光电池用作人造卫星、航天飞机等的电源。仿制元件主要用石墨，影响石墨质量的关键因素是晶体缺陷和杂质锗回收提取的五种方式,锗回收价格8块钱/g。