一种回收铟的方法，更具体地，涉及一种从诸如氧化铟锡(ITO)靶废料等含铟材料中回收贵金属铟的方法。

近年来，随着液晶技术的快速发展，作为液晶透明导电膜的ITO薄膜的需求量显著增加，作为生产ITO薄膜的原料的ITO靶材的数量也大幅增加。

传统上，已经提出了一种使用溶剂萃取法的方法，作为从诸如ITO靶废料的含铟材料中回收铟的方法(例如，参见专利文献1)。然而，在这种方法中，提取和反萃取重复进行，使得过程变得复杂，并且由于使用昂贵的溶剂而增加了成本。进一步，将含铟物质溶解在盐酸或盐酸和硫酸的混合酸中，并在溶液中加入金属铟平板，以去除和去除溶液中的杂质离子，然后将该溶液用作电解液。还提出了一种用于电解收集金属铟的方法(例如参见专利文献2)。该方法虽然工艺简单，但置换沉淀法去除杂质离子的浓度是有限度的，得到的金属铟纯度仅为99.99%左右。

为了消除常规铟回收方法的这些问题，用盐酸溶解含铟物质，然后将溶液加碱中和至pH为0.5~4并溶解。将液体中预定的金属离子以氢氧化物的形式沉淀和除去，然后吹入硫化氢气体以硫化物的形式沉淀和除去对电解有害的金属离子。已经提出了一种用于电解收集金属铟的方法。这种方法作为ITO靶废料等的回收方法非常有用，因为它可以以简单的工艺和低成本回收99.999%或更多的高纯度铟。

然而，由于铟含量、形状和大小不是恒定的，在专利文献3的方法中，诸如ITO靶废料之类的含铟材料不适合用作回收材料。特别是，根据原料的形状和大小，用盐酸溶解含铟物质的溶解过程的处理时间变长或浸出率变低，从而使溶解过程的处理时间和浸出率有所不同。如果优先考虑缩短熔融步骤的处理时间，浸出率会降低，需要单独设置循环或后处理生产线才能提高浸出率。另一方面，如果优先考虑熔化步骤中的浸出率(回收率)，则需要很长时间才能达到期望的浸出率。因此，为了工业化地使用专利文献3的方法，可以通过缩短熔化步骤的处理时间和提高浸出率来在短时间内以高回收率回铟。这是必要的。在专利文献3的方法中，通过电解收集的金属铟中的锡量约为1ppm，并且希望进一步减少锡量。

因此，针对这样的常规问题，本发明提供了一种能够以简单的工艺在短时间内高回收率地回收高纯度铟的铟回收方法。带着目标。

作为解决上述问题的勤奋研究的结果，本发明人将含铟材料粉碎，直到大于预定粒度的粗颗粒变为预定比例或更小，然后用酸溶解并中和。如果稍后在预定温度下老化预定时间，可以缩短熔化步骤的处理时间，提高浸出率，稳定中和沉淀物，并提取电镀金属铟中所含的锡。本发明是通过寻找一种回收铟的方法来完成的，该方法可以减少用量，并且可以在短时间内以低成本、高回收率、简单的工艺回收高纯度的铟。一切都变好了，鼎锋贵金属回收表示以上就是通过对含铅尾矿的回收贵金属的二次利用的答案。